OpenGL을 사용하는 프로그램 관련 드라이버 오류.
주로 radeon에서 발생하는 듯하다.
프로그램을 다시 깔아도 소용없고
radeon 그래픽카드 드라이버를 문제가 생기기 이전의 버전으로 깔아주면 된다.
Driver error with respect to program using OpenGL.
this problem is frequently(?) happened to ATI radeon graphic card.
re-installing any program with this problem is useless.
just re-installing the graphic driver which is lower or higher version that makes any problem with OpenGL is the solution.
2013년 5월 23일 목요일
2013년 5월 22일 수요일
공차, tolerance
1.LM과 LM 사이 AND 핀과 핀사이 ±0.03
2.베어링들어가는 부분 +0.03/+0.02(돌아가는부분),회전하며 들어가는 부분(헐거움) 축은-0.01/-0.03
3.끼워지면서 C/B등으로 결합되는 부분 +0.2/+0.15
4.샤프트축 끼워지면서 핀으로 잡아줄때 부분 +0.05/+0.03
5.모터브라켓+0.2/+0.1 모터 들어가는 부분, 그외에 만나 끼워지는 부분
6.SHAFT 축 -0.01/-0.03, 축반대로 끼워지는 부분 +0.03/+0.01
7.베어링 끼워지는 부분 (양옆) ±0.03
8.베어링 SPACER (양옆) ±0.03
9.어느정도 맞아서 끼워져야할때 +0.1/+0.05
10.LM자리 +0.05/+0.03
2013년 5월 13일 월요일
정지정정시간. STOP STB TIME
미스비시 모터 선정 프로그램을 사용하다보면
작동 패턴을 정의하는 항목에
응답율인지 응답에 관하여 정의하는 항목이 있다.
기본적으로는 저응답(LOW RESPONSE)에 맞춰져 있고,
저응답, 중응답, 고응답, 사용자정의 를 선택할 수 있다.
ts가 정지정정시간인데 위는 저응답으로 선택한 경우이므로 0.043sec 가 표시되어 있다.
위 그래프를 보면 알겠지만 붉은 선이 사용자가 정의하는 운전패턴이다.
그러나 실제로 모터는 우리가 정의한 대로 움직일 수 없다.
정의한 속도에 도달하기 위해 서서히 가속하고 정해진 속도에 도달할 즈음하여
속도 증가율이 둔화하고 등속이 된다. 감속시에도 마찬가지이다.
이런 이유때문인지 아니면 명령전달 속도 때문인지 정의된 패턴과 실제 운전의 차이가
발생할 수 밖에 없는데 그 시간을 ts 정지정정시간이라고 부르는 듯 하다.
저응답에서는 0.043초
중응답 0.02초
고응답 0.012초
이와 같이 정의되어 있고, 미스비시 모터선정 프로그램에서는 이 시간을 고려하지 않을 수 없도록 되어있다.
지금껏 수년간 프로그램을 짜고 모터를 제어했던 분에게 물어보니 자신도 몰랐다고 한다. 하물며 제어와 관련없는 설계하는 사람들이 이것을 알았을까? 물론 '저건 당연히 고려해야 하는거 아냐?' 하는 사람도 있겠지만 난 지금 제어와 설계의 괴리를 이제서야 찾아낸 듯한 감상에 젖어 이글을 남긴다.
작동 패턴을 정의하는 항목에
응답율인지 응답에 관하여 정의하는 항목이 있다.
기본적으로는 저응답(LOW RESPONSE)에 맞춰져 있고,
저응답, 중응답, 고응답, 사용자정의 를 선택할 수 있다.
ts가 정지정정시간인데 위는 저응답으로 선택한 경우이므로 0.043sec 가 표시되어 있다.
위 그래프를 보면 알겠지만 붉은 선이 사용자가 정의하는 운전패턴이다.
그러나 실제로 모터는 우리가 정의한 대로 움직일 수 없다.
정의한 속도에 도달하기 위해 서서히 가속하고 정해진 속도에 도달할 즈음하여
속도 증가율이 둔화하고 등속이 된다. 감속시에도 마찬가지이다.
이런 이유때문인지 아니면 명령전달 속도 때문인지 정의된 패턴과 실제 운전의 차이가
발생할 수 밖에 없는데 그 시간을 ts 정지정정시간이라고 부르는 듯 하다.
저응답에서는 0.043초
중응답 0.02초
고응답 0.012초
이와 같이 정의되어 있고, 미스비시 모터선정 프로그램에서는 이 시간을 고려하지 않을 수 없도록 되어있다.
지금껏 수년간 프로그램을 짜고 모터를 제어했던 분에게 물어보니 자신도 몰랐다고 한다. 하물며 제어와 관련없는 설계하는 사람들이 이것을 알았을까? 물론 '저건 당연히 고려해야 하는거 아냐?' 하는 사람도 있겠지만 난 지금 제어와 설계의 괴리를 이제서야 찾아낸 듯한 감상에 젖어 이글을 남긴다.
2013년 4월 16일 화요일
IR/OCV test에서...
IR means Internal Resistance.
내부저항
전류를 측정하는 장치를 전류계. 도선 사이의 전류를 측정하기 위해서는 도선 사이에 전류계 A를 설치해야 한다. 전류계로 들어간 전류는 전류계에 의해 측정된다. 전류계의 내부저항이 0인 것이 가장 이상적이다. 그렇지 않으면 전류계의 내부저항 때문에 측정하려는 전류가 바뀌기 때문이다. 아래 그림에서 A는 전류계.
전압(potential difference)을 측정하는 장치는 전압계. 두 지점 사이의 전압을 측정하기 위해서는 전압계를 위 그림처럼 병렬로 연결해야 한다. 전압계 내부저항이 전압계가 연결되는 회로의 저항보다 훨씬 커야 한다. 그렇지 않으면 전압계가 회로의 일부가 되어 측정하고자 하는 전압 차가 바뀌기 때문이다. 아래 그림에서 V는 저항 R1을 측정하는 전압계이다.
전류원이나 전압계처럼 이상적으로는 내부저항이 무한대여야 하는 것에서는 전압을 걸었을 때 흐르는 전류에 의해서 같은 일이 일어난다. 교류회로에서는 단순히 저항뿐만 아니라 일반적으로 임피던스가 같은 원인이 되므로, 내부 임피던스를 고려해야 한다. 전류가 흐르면서 생기는 전압강하에 의해 내부저항이 생기고, 교류회로에서는 임피던스에 의해 내부저항이 생기므로 이를 고려해주어야 한다.
아래 그림은 내부저항 r 이 있는 실제 전지가 저항 R에 연결된 경우이다. 만약 내부저항 r 이 업승면 아래 그림의 장치는 이상적인 기전력장치가 된다. 편의상 전지를 이상적인 전지와 내부저항으로 나누어 그렸다. 내부저항 r이 2옴, 기전력이 12V, 외부저항 R이 4옴이면 전지에서 실제 출력되는 기전력은 8V가 된다. 실제 기전력은 내부저항 r에 의해 약간 줄어든 형태로 나온다. 이는 우리가 상요하는 모든 전지에서 동일하다. 1.5V 전지를 양끝에서 측정해보면 1.5V보다 낮은 전압이 측정된다.
진공관에서는 격자전압이 일정할 때, 양극전류-양극전압곡선의 기울기의 역수를 양극내부저항이라 한다. 전압원이나 전류계처럼 이상적으로는 내부저항이 0이어야 하는 것에서는 전류를 흐르게 함으로써 내부저항으로 생기는 전압강하가 전압변동이나 계기를 넣었기 때문에 생기는 오차의 원인이 된다.
내부저항
전류를 측정하는 장치를 전류계. 도선 사이의 전류를 측정하기 위해서는 도선 사이에 전류계 A를 설치해야 한다. 전류계로 들어간 전류는 전류계에 의해 측정된다. 전류계의 내부저항이 0인 것이 가장 이상적이다. 그렇지 않으면 전류계의 내부저항 때문에 측정하려는 전류가 바뀌기 때문이다. 아래 그림에서 A는 전류계.
전압(potential difference)을 측정하는 장치는 전압계. 두 지점 사이의 전압을 측정하기 위해서는 전압계를 위 그림처럼 병렬로 연결해야 한다. 전압계 내부저항이 전압계가 연결되는 회로의 저항보다 훨씬 커야 한다. 그렇지 않으면 전압계가 회로의 일부가 되어 측정하고자 하는 전압 차가 바뀌기 때문이다. 아래 그림에서 V는 저항 R1을 측정하는 전압계이다.
전류원이나 전압계처럼 이상적으로는 내부저항이 무한대여야 하는 것에서는 전압을 걸었을 때 흐르는 전류에 의해서 같은 일이 일어난다. 교류회로에서는 단순히 저항뿐만 아니라 일반적으로 임피던스가 같은 원인이 되므로, 내부 임피던스를 고려해야 한다. 전류가 흐르면서 생기는 전압강하에 의해 내부저항이 생기고, 교류회로에서는 임피던스에 의해 내부저항이 생기므로 이를 고려해주어야 한다.
아래 그림은 내부저항 r 이 있는 실제 전지가 저항 R에 연결된 경우이다. 만약 내부저항 r 이 업승면 아래 그림의 장치는 이상적인 기전력장치가 된다. 편의상 전지를 이상적인 전지와 내부저항으로 나누어 그렸다. 내부저항 r이 2옴, 기전력이 12V, 외부저항 R이 4옴이면 전지에서 실제 출력되는 기전력은 8V가 된다. 실제 기전력은 내부저항 r에 의해 약간 줄어든 형태로 나온다. 이는 우리가 상요하는 모든 전지에서 동일하다. 1.5V 전지를 양끝에서 측정해보면 1.5V보다 낮은 전압이 측정된다.
진공관에서는 격자전압이 일정할 때, 양극전류-양극전압곡선의 기울기의 역수를 양극내부저항이라 한다. 전압원이나 전류계처럼 이상적으로는 내부저항이 0이어야 하는 것에서는 전류를 흐르게 함으로써 내부저항으로 생기는 전압강하가 전압변동이나 계기를 넣었기 때문에 생기는 오차의 원인이 된다.
2013년 4월 8일 월요일
Probe method
정상적인 열전도율 측정법의 하나인 열선법으로 이하에 서술한 프로브를 이용함으로써 측정의 신속, 간편화를 도모한 것. 열선법에서는 시료를 2분할하여 그 사이에 가열선을 두고 측정하지만, 편측의 재료로서 시료 대신에 열전도율이 기지의 기준 물질을 항상 이용하여 가열선, 온도계 기준물질을 일체화로 하여 프로브로 한다. 이 프로브를 시료면에 접촉시켜 열전도율이 신속히 간편하게 또한 시료를 파괴하지 않게 측정된다. 시료가 분말, 토양 등의 경우에 특히 유용하다.
- 금속용어사전 -
2013년 3월 7일 목요일
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
1980년 B.J. Baliga에 의해 제안된 소자
MOSFET와 Bipolar transistor의 구조를 가지는 Switching 소자.
구동전력이 작고, 고속스위칭, 고내압화, 고전류 밀도화가 가능한 소자.
-네이버 지식백과-
전력용 반도체 중 하나. 주로 300V 이상의 전압 영역에서 널리 사용되고 있으며, 고효율, 고속의 전력 시스템에 특히 많이 사용되고 있따.
1970년대에 전력용 MOS FET가 개발된 이후 전력용 스위치는 중전압 이하, 고속의 스위칭이 요구되는 범위에서는 MOS FET가, 중~고압에서는 대량의 전류도통이 요구되는 범위에서는 바이폴라 트랜지스터나 SCR, GTO등이 사용되어 왔다.
1980년대 초에 개발된 IGBT는 출력 특성면에서는 바이폴라 트랜지스터 이상의 전류 능력을 지니고 있고, 입력 특성면에서는 MOS FET와 같이 게이트 구동 특성을 가지고 있다.
따라서 IGBT는 MOS FET와 Bipolar Transistor의 대체 소자로서 뿐만 아니라 새로운 분야도 점차 사용이 확대되고 있따.
- 특징
MOS는 고내압화하면 온(On) 저항이 급속히 커는 문제가 있어서 200V 정도가 실용의 한계로 보고 있는 반면 IGBT는 MOS에 비해 온 저항이 낮지만 MOS와 동등의 전압제어 특성을 지니고 있으며 도한 스위칭 특성에서는 MOS보다는 늦지만 Bipolat Transistor나 GTO 보다는 빠른 이점으로 중소용량의 인버터를 중심으로 산업용에서부터 일반 가정용에까지 폭넓게 사용될 수 있다.
1980년 B.J. Baliga에 의해 제안된 소자
MOSFET와 Bipolar transistor의 구조를 가지는 Switching 소자.
구동전력이 작고, 고속스위칭, 고내압화, 고전류 밀도화가 가능한 소자.
-네이버 지식백과-
전력용 반도체 중 하나. 주로 300V 이상의 전압 영역에서 널리 사용되고 있으며, 고효율, 고속의 전력 시스템에 특히 많이 사용되고 있따.
1970년대에 전력용 MOS FET가 개발된 이후 전력용 스위치는 중전압 이하, 고속의 스위칭이 요구되는 범위에서는 MOS FET가, 중~고압에서는 대량의 전류도통이 요구되는 범위에서는 바이폴라 트랜지스터나 SCR, GTO등이 사용되어 왔다.
1980년대 초에 개발된 IGBT는 출력 특성면에서는 바이폴라 트랜지스터 이상의 전류 능력을 지니고 있고, 입력 특성면에서는 MOS FET와 같이 게이트 구동 특성을 가지고 있다.
따라서 IGBT는 MOS FET와 Bipolar Transistor의 대체 소자로서 뿐만 아니라 새로운 분야도 점차 사용이 확대되고 있따.
- 특징
MOS는 고내압화하면 온(On) 저항이 급속히 커는 문제가 있어서 200V 정도가 실용의 한계로 보고 있는 반면 IGBT는 MOS에 비해 온 저항이 낮지만 MOS와 동등의 전압제어 특성을 지니고 있으며 도한 스위칭 특성에서는 MOS보다는 늦지만 Bipolat Transistor나 GTO 보다는 빠른 이점으로 중소용량의 인버터를 중심으로 산업용에서부터 일반 가정용에까지 폭넓게 사용될 수 있다.
2013년 3월 5일 화요일
PWM(Pulse Width Modulation)
전압이나 전류의 정현파와는 달리 직류전압의 안정적인 공급을 위해서
파형의 진폭을 변조시켜서 보내는 방법.
인버터 전압제어를 위해 사용되는 펄스폭변조(PWM : Pulse-width modulation)방식은 공간벡터변조(space vector modulation)방식을 이용하여 발생되고 있으며, 이 방식은 기존의 정현파 펄스폭변조(SPWM : Sinusoidal Pulse-width-modulation)방식보다 선형영역에서 최대 출력 전압이 15.5%가 더 크게 발생될 수 있으며 스위칭수에 있어서는 1/3이 절감되어 스위칭 손실이 줄어드는 장점이 있다.
- 네이트 지식검색 -
PWM방식이란 펄스폭변조. 원리 - 인가하는 전압을 펄스형태로 가하는데 펄스폭이 작으면 전압의 크기가 작은 효과가 발생. 반대로 펄스폭이 크면 전압의 크기가 큰 효과가 발생. 따라서 저항제어식으로 저항에 의한 열손실 없이 전압의 크기를 변화시킴으로서 속도를 제어할 수 있다는 장점이 있으나 펄스형태의 전압을 인가하다보니 회로가 복잡해지고 노이즈가 발생한다는 단점이 있다.
- 다음 지식검색 -
파형의 진폭을 변조시켜서 보내는 방법.
인버터 전압제어를 위해 사용되는 펄스폭변조(PWM : Pulse-width modulation)방식은 공간벡터변조(space vector modulation)방식을 이용하여 발생되고 있으며, 이 방식은 기존의 정현파 펄스폭변조(SPWM : Sinusoidal Pulse-width-modulation)방식보다 선형영역에서 최대 출력 전압이 15.5%가 더 크게 발생될 수 있으며 스위칭수에 있어서는 1/3이 절감되어 스위칭 손실이 줄어드는 장점이 있다.
- 네이트 지식검색 -
PWM방식이란 펄스폭변조. 원리 - 인가하는 전압을 펄스형태로 가하는데 펄스폭이 작으면 전압의 크기가 작은 효과가 발생. 반대로 펄스폭이 크면 전압의 크기가 큰 효과가 발생. 따라서 저항제어식으로 저항에 의한 열손실 없이 전압의 크기를 변화시킴으로서 속도를 제어할 수 있다는 장점이 있으나 펄스형태의 전압을 인가하다보니 회로가 복잡해지고 노이즈가 발생한다는 단점이 있다.
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